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型号 IPB04N03LAT
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB04N03LAT PDF
代理商 IPB04N03LAT
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.9 毫欧 @ 55A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 60µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 32nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3877pF @ 15V
功率 - 最大 107W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 标准包装
产品目录页面 1618 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPB04N03LAXTINDKR
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